EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种可编程的非易失性存储器，它允许在运行时改变存储在其中的数据。EEPROM与静态随机存取存储器（SRAM）的主要区别在于，EEPROM具有可擦除的特性，这意味着我们可以清除存储在其中的数据，并将其恢复为原始状态。这种特性使得EEPROM在许多嵌入式系统和微控制器应用中扮演着重要角色。 一、EEPROM编程机制 EEPROM的编程过程涉及到两个步骤：写入和刷新。写入过程是将新

EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种可编程的非易失性存储器，它可以在不耗尽电池的情况下更改其存储的内容。由于其快速擦除和编程特性，EEPROM广泛应用于各种电子设备中，如微控制器、传感器、嵌入式系统等。本篇文章将详细介绍EEPROM的擦除和编程速度。 一、擦除速度 EEPROM的擦除速度通常非常快，因为它们使用双极性晶体管结构。当一个位被擦除时，所有的电荷都会被移除，这只需要几微秒的时间。与Flash存储器