在Y9T239里，提到LPO是在C2M和M2C之间的线性直驱，也就是交换机主芯片ASIC芯片（或者叫switch芯片，或者用FPGA也可以实现）到模块之间的电信号直接互联。也就是电信号互联距离的VSR类，大约150mm长度。

CPO是XSR互联， ~50mm长度，NPO是XSR+距离

Y9T239里提到的，因为CEI-112G的高频损耗与连0连1的信号低频损耗有差异，需要非线性的FFE或者DFE功能（这些通常包括在DSP芯片里），由于DSP的功耗很大，所以LPO把DSP取消掉。

嗯~~~~，LPO把光模块里的DSP取消掉，初期并没有把FFE和DFE这些功能取消掉哈。这些功能由系统芯片来处理，

昨天也写了DFE的如何处理信号的。

前两天收到一个留言，说LPO的直驱早期讨论是并没有把CTLE纳入进来，后来才有的。

好，T239里聊的是，把非线性的FFE、DFE挪出光模块外，剩下的就是线性处理了，包括CTLE叫线性直驱，不包括CTLE，也叫线性直驱，这个事情的重点是不包括FFE和DFE

先说损耗，C2M、M2C的距离约在150mm的信号长度，导体的损耗以及介质的损耗，都是随频率升高而升高的。优化介质，或者优化导体，芯片交易网IC交易网都可以降低损耗。

之前写过的旭创高速光模块用的Meg7N， EEPROM带电可擦可编程存储器芯片大全就是典型的低损耗介质材料。

比如写的铜箔的压延或者是反转铜等等， ATMEGA系列ATMEL芯片COM也是为了降低金属线的损耗。

但总的结构就是， 电子元器件PDF资料大全高频的损耗比低频损耗更严重， CMOS图像传感器集成电路芯片CPO/NPO选择降低连接长度来降低损耗，与LPO降低损耗的方式不同。

另外，降低回波损耗，等于优化了射频性能，对于高频应用，回损的要求也更为苛刻。

LPO依然还是热插拔光模块的范畴，那以前写过的热插拔金手指与插座的簧片接触，就需要做“抗反射”处理，降低回损

即使在CEI-112G C2M的连接上，EEPROM带电可擦可编程存储器芯片大全系统各个方向都在努力降低一部分高频电信号的损耗，只是依然很大。并且连1与单1的bit排列导致的频率差异，是不可避免的，这些频点对信号产生的不同的幅度降低，也是不可避免的。

这就有了FFE的FIR响应在电信号起始端做预加重，电信号传输的末端做MLSE的均衡补偿，以及DFE的反馈补偿。

最后再再聊一下CTLE的线性是啥线性。下图是CEI-112G里2dB到12dB增益的CTLE的频响曲线，112Gbps的PAM4 奈奎斯特频率是28GHz，在这个频点是“高通滤波”，这就是高频信号损耗大，这里给一个与低频端有差异的滤波特性，实现“均衡”

有问“这也不线性”啊，线性不是一条线么，这下图都完成北斗七星了，咋看咋不线性。

CTLE的Continuous Time Linear Equalizer，的线性前端有个定语，是基于连续时间。

Y9T243 DFE，这里头我用光博会举例区分这三个，CTLE每天的补偿是一样的，而FFE和DFE则每一天的补偿金额是有差异的。

昨天还有这个图，是吧。把信号按时间切分，然后具体分析每一个时间点，这个信号的性能，可以用FFE做预补偿，也可以用DFE做后采集并负反馈。

CTLE的线性，不是指频率响应的线性，频响线性了就没法滤波了。这个线性指的是时间。所有时间的高频衰减系数/中频衰减系数/低频衰减系数，都一样。

而FFE、DFE，都是有多个抽头，把信号延时，看一下20ps后是什么特性，40ps后，60ps后....， 一点点基于不同时间点的信号特性分析后，信号偏离理想值是啥情况，然后补偿。

所以CTLE的CT，特意标注出来是连续时间。信号就1个抽头，直接过去的。 审核编辑：刘清

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